BSS87H6327 时间：2025/8/2 7:41:25 阅读：26

BSS87H6327 是一款由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。BSS87H6327 采用小型化的PG-TDSO-8封装，适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.8A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为 0.95Ω（在VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PG-TDSO-8

特性

BSS87H6327 的设计使其在低压应用中表现出色。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出良好的性能，降低了开关损耗。
　　此外，BSS87H6327 的热性能优越，能够在高温度环境下稳定运行。其封装设计具有良好的散热能力，确保在高电流条件下也能保持较低的温度上升。
　　这款MOSFET还具有高可靠性和抗干扰能力，适合用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。其栅极保护二极管提高了器件的抗静电能力，增强了长期运行的稳定性。

应用

BSS87H6327 适用于多种低压功率应用，包括负载开关、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和电源管理模块。在便携式电子设备中，该器件可用于优化电源管理，提高能效，延长电池续航时间。
　　此外，BSS87H6327 也常用于LED照明系统、传感器接口电路以及智能电表等工业自动化设备中。其小型化封装和高性能特性使其成为空间受限设计的理想选择。