类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：100mA
　　最大漏极-源极电压：20V
　　最大栅极-源极电压：12V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大）
　　栅极电荷：2.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

KTK161-GR 功率 MOSFET 具有多个关键特性，适用于广泛的电源管理应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 3.5Ω 以下，有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为减少能量损耗可以延长电池寿命。
　　其次，该器件支持高达 20V 的漏极-源极电压，使其适用于多种低压电源转换和控制电路。栅极-源极电压最大为 12V，确保了在常见逻辑电平下的可靠驱动。
　　此外，KTK161-GR 采用 SOT-23 小型封装，适用于高密度 PCB 布局，并具备良好的热稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。这种封装也便于自动化生产和表面贴装焊接。
　　最后，该 MOSFET 具有较高的开关速度，适合用于高频开关电路，例如 DC-DC 升压或降压转换器、LED 驱动电路和小型电机控制电路等。其快速响应能力有助于减小外围电路尺寸，提高整体系统性能。
　　总体而言，KTK161-GR 是一款高性能、低功耗、小尺寸的功率 MOSFET，适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制模块。

KTK161-GR 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：作为负载开关或 DC-DC 转换器中的关键元件，用于高效管理电池供电设备的电源分配。
　　2. **LED 驱动电路**：用于小型 LED 灯具或背光控制电路，提供稳定的电流开关功能。
　　3. **便携式电子产品**：如智能手表、无线耳机、蓝牙设备等，用于电源控制和低功耗开关操作。
　　4. **工业控制模块**：包括传感器驱动、小型继电器控制和自动化设备中的低功耗开关应用。
　　5. **通信设备**：用于射频模块、Wi-Fi 或蓝牙芯片组的电源控制电路中，以提高系统效率和延长待机时间。
　　这些应用场景充分体现了 KTK161-GR 在低功耗、高效率和小尺寸设计方面的优势。

2N7002, BSS138, 2N3904