KTD998 时间：2025/9/12 14:49:26 阅读：8

KTD998是一款专为高性能开关应用设计的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关及电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热稳定性，能够在高频率下高效运行。KTD998的封装形式通常为TO-252或TO-263等表面贴装封装，适合自动化生产流程并具备良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃~+175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KTD998具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在设计上采用了优化的沟槽结构，使得其在高频率开关应用中表现出优异的动态性能，减少了开关损耗。此外，KTD998的热阻较低，能够在高功率密度条件下保持良好的散热效果，从而延长器件的使用寿命。
　　KTD998还具备较高的短路耐受能力，可以在瞬态过载条件下提供一定的保护功能。其栅极驱动特性较为稳定，能够与常见的驱动电路兼容，适合用于PWM控制等场合。在封装方面，TO-252或TO-263等封装形式不仅节省空间，还便于安装在PCB上并进行有效的热管理。
　　此外，KTD998在制造过程中遵循严格的品质控制标准，确保其在高温和高湿环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于工业级和汽车级应用场景。

应用

KTD998广泛应用于各种高性能电源系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及电源分配系统等。其优异的导通特性和高电流承载能力使其成为高性能电源设计中的理想选择。此外，该器件也可用于服务器电源、电信设备、电动车控制系统等对效率和可靠性要求较高的场合。由于其具备良好的热管理能力，KTD998也常被用于需要长时间连续运行的工业自动化设备中。