MA0201CG120F250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款芯片属于 N 沱道增强型功率 MOSFET,具有出色的热稳定性和可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。
型号:MA0201CG120F250
类型:N 沱道增强型功率 MOSFET
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:25A
导通电阻:4mΩ(典型值)
栅极电荷:38nC(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
MA0201CG120F250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少传导损耗。
2. 高速开关性能,支持高频开关应用,从而减小磁性元件体积和系统尺寸。
3. 优秀的热稳定性,可确保在极端温度条件下的可靠运行。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 提供卓越的电气性能,适用于多种高功率密度设计。
这些特性使 MA0201CG120F250 成为高效率功率转换应用的理想选择。
MA0201CG120F250 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业逆变器和 UPS 系统中的功率管理模块。
4. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
6. 各种负载开关和保护电路。
由于其优异的性能和可靠性,该芯片非常适合用于需要高效率和高功率密度的设计。
MA0201CG120F200
MA0201CG100F250
IRFZ44N
FDP5500