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HY5V52CFPH 发布时间 时间:2025/9/2 0:30:12 查看 阅读:5

HY5V52CFPH 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件通常用于需要快速数据访问和高稳定性的应用,如网络设备、通信设备、工业控制系统等。HY5V52CFPH 是一款异步SRAM,提供524,288位(64K x 8)的存储容量,并支持低压操作,典型工作电压为2.3V至3.6V,适合多种低功耗应用场景。

参数

容量:64K x 8 = 512Kbit
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns、12ns、15ns(根据后缀不同)
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:最小1.5V
  最大工作电流:约200mA(典型值,取决于操作频率)

特性

HY5V52CFPH 是一款高性能的异步SRAM,具备低电压操作和高速访问的双重优势。其宽泛的供电范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源管理系统,并能适应不同电路设计需求。该芯片的访问时间有10ns、12ns和15ns等多种选择,适用于要求快速响应的应用场景,如高速缓存、数据缓冲和实时控制。
  此外,HY5V52CFPH 支持低功耗模式,当芯片不进行读写操作时,可以通过使能片选信号(CE)进入待机状态,显著降低功耗。该器件采用TSOP封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。

应用

HY5V52CFPH 主要应用于需要快速存取和稳定性能的电子系统中。常见的应用包括:工业控制设备、通信模块(如路由器、交换机)、嵌入式系统、测量仪器、视频采集设备以及需要临时数据缓存的场景。由于其低电压、低功耗和高速特性,它也适用于便携式设备和电池供电系统中的临时存储单元。

替代型号

CY62148BLL-55PAXC, IS61LV25616A-10T, IDT71V416S

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