UT30N03L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:21:35 阅读：12

UT30N03L-TN3-R是一款由Unipower（友台半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，适用于高效率、小体积的电源转换应用。该器件封装在DFN3.3×3.3-8L或类似的小尺寸表面贴装封装中，具有低导通电阻、优良的开关特性和良好的热性能，能够在有限的空间内提供出色的功率处理能力。UT30N03L-TN3-R的设计注重节能与可靠性，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及便携式设备电源管理等场景。其额定电压为30V，连续漏极电流可达19A，适合在低压大电流条件下稳定工作。由于采用了环保材料并符合RoHS标准，这款MOSFET也满足现代电子产品对绿色制造的要求。此外，该型号支持卷带包装（R表示卷带），便于自动化贴片生产，提升了大规模制造的效率和一致性。

参数

型号：UT30N03L-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：19A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：76A
　　导通电阻(Rds(on))：4.8mΩ @ Vgs=10V, Id=9.5A
　　导通电阻(Rds(on))：6.2mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1200pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容(Coss)：450pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向恢复时间(Trr)：未内置体二极管快恢复
　　栅极电荷(Qg)：19nC @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN3.3×3.3-8L

特性

UT30N03L-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时典型值仅为4.8mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中表现出色。这一特性显著降低了导通损耗，尤其适用于大电流工作的DC-DC降压变换器和同步整流电路，有助于提高系统整体能效。同时，在Vgs=4.5V的较低驱动电压下，其Rds(on)仍可保持在6.2mΩ，表明该器件在低压逻辑电平驱动条件下依然具备良好的导通能力，兼容3.3V或5V控制信号，适用于由微控制器或专用驱动IC直接驱动的应用场景。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为19nC（@Vgs=10V），意味着其开关速度较快，开关损耗较小，有利于提升高频开关电源的工作频率和功率密度。输入电容Ciss为1200pF，输出电容Coss为450pF，这些电容参数经过优化，有助于减少驱动电路的负担，并降低EMI干扰。此外，其阈值电压Vth在1.0V至2.0V之间，确保了器件在启动时能够快速开启，避免半导通状态带来的热积累问题，增强了系统的稳定性与安全性。
　　UT30N03L-TN3-R采用DFN3.3×3.3-8L封装，具有极佳的散热性能和较小的占板面积，非常适合空间受限的高密度PCB布局。该封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB地层有效散热，提升功率处理能力。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于消费类电子、工业控制、通信模块和便携式设备等多种应用场景。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在高温或低温环境下仍能可靠运行，具备良好的环境适应性。

应用

UT30N03L-TN3-R广泛应用于各类需要高效、低压大电流开关功能的电源系统中。常见用途包括同步整流式DC-DC转换器，特别是在Buck（降压）拓扑结构中作为下管使用，利用其低Rds(on)特性减少传导损耗，提高转换效率。此外，它也适用于电池供电设备中的负载开关或热插拔控制电路，能够快速接通或断开电源路径，防止浪涌电流冲击后级电路。在电机驱动、LED驱动电源以及USB PD快充模块中，该MOSFET可作为功率开关元件，实现精确的通断控制。
　　由于其封装小巧且热性能良好，UT30N03L-TN3-R特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品内部的电源管理单元。在这些设备中，空间极为宝贵，而高效的能量转换对于延长电池续航至关重要。该器件还可用于服务器主板、FPGA或ASIC供电的POL（Point-of-Load）转换器中，作为功率级的一部分，提供稳定的电压调节。工业领域的智能仪表、PLC模块和传感器供电系统也可从中受益，实现小型化与高可靠性兼顾的设计目标。