KTC4468-O 时间：2025/12/28 16:11:51 阅读：12

KTC4468-O是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、开关电源等高功率场合。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流容量等优点，适用于需要高效、高性能功率开关的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

KTC4468-O具有非常低的导通电阻，这使得在大电流条件下导通损耗大大降低，提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（可达120A）使其适用于高功率应用，如电动工具、汽车电子和工业电机控制。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和耐高温能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，也便于安装和自动化生产。
　　在栅极驱动方面，KTC4468-O支持标准逻辑电平驱动（Vgs=4.5V或10V），可与多种控制器或驱动IC配合使用，简化了电路设计。同时，该器件具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在开关过程中可能遇到的高压尖峰的抗干扰能力，提高了系统可靠性。
　　此外，KTC4468-O采用了先进的沟槽式（Trench）MOS技术，使得在保持低导通电阻的同时，还具备较快的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流等应用。