时间：2025/5/23 7:47:10
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211CC3S2160是一款高性能的陶瓷电容器，广泛应用于高频电路中。它采用多层陶瓷技术制造，具有低ESR（等效串联电阻）和高Q值的特点，适合用于滤波、耦合和去耦等场景。该型号属于C0G介质类型，具有极佳的温度稳定性和频率稳定性。
额定电压：50V
标称容量：22pF
容差：±5%
工作温度范围：-55℃至+125℃
尺寸：0805英寸
封装类型：表面贴装(SMD)
介质类型：C0G
211CC3S2160具备出色的温度稳定性，在-55℃到+125℃范围内，其容量变化小于±30ppm/℃。此外，由于采用了C0G介质，这款电容器在高频条件下表现出较低的介电损耗，非常适合射频和微波应用。它的小型化设计使其易于集成到紧凑型电路板中，并且其表面贴装形式提高了装配效率。
该型号还具有非常低的等效串联电阻(ESR)，从而减少了信号失真并提升了整体性能。同时，其高Q值进一步增强了在振荡器、滤波器等关键电路中的表现。
211CC3S2160适用于各种高频电子设备，包括但不限于无线通信模块、射频收发器、GPS系统、蓝牙设备以及Wi-Fi模块。此外，它还可以用作音频放大器中的耦合电容或电源电路中的去耦电容，确保电路稳定运行。在精密测量仪器、航空航天设备以及其他对稳定性要求较高的领域，这款电容器同样表现出色。
C0G-NP0-0805-22PF-50V
