KDZVTR11B 时间：2025/12/25 11:44:38 阅读：13

KDZVTR11B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的表面贴装齐纳二极管，采用小型SOD-523封装。该器件专为低功率应用中的电压箝位、参考电压生成和电路保护设计，适用于便携式电子设备和高密度印刷电路板布局。作为精密稳压元件，KDZVTR11B在正向导通时表现类似普通二极管，而在反向偏置条件下则可在特定电压下实现稳定的齐纳击穿，从而提供精确的电压调节功能。该型号属于ROHM的KDZ系列中的一员，该系列以高精度、小尺寸和良好的温度稳定性著称，广泛用于消费类电子产品、通信设备及工业控制系统中。其薄型结构和轻量化特性使其非常适合自动化贴片生产流程，并满足现代电子产品对微型化和高效能的双重需求。

参数

制造商：ROHM Semiconductor
　　产品系列：KDZ
　　元件类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：11V @ 5mA (典型值)
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zz）：35Ω
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-523
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　极性：单齐纳二极管
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ Vr = 9V

特性

KDZVTR11B具备出色的电压稳定性和温度适应能力，能够在宽温度范围内保持可靠的性能表现。其核心特性之一是±2%的窄电压容差，这确保了在批量使用中具有高度一致性，减少了系统校准的需求，提升了整体电路的可靠性。该齐纳二极管在5mA的标准测试电流下呈现出11V的稳定击穿电压，适合用作模拟信号链中的参考源或数字逻辑电平的箝位保护。由于采用了先进的半导体工艺，器件表现出较低的动态阻抗（最大35Ω），这意味着即使负载电流发生微小变化，输出电压也能维持相对恒定，有效抑制纹波和噪声。
　　该器件的小型SOD-523封装不仅节省PCB空间，还优化了热传导路径，提高了散热效率。尽管额定功率仅为200mW，但在合理布局和适当通风条件下，仍可胜任大多数低功耗场景下的稳压任务。此外，KDZVTR11B拥有极低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，有助于降低待机功耗，特别适用于电池供电设备。其-55°C至+150°C的宽工作结温范围使其能在极端环境如高温工业现场或寒冷户外设备中稳定运行。ROHM通过严格的品质控制保证了产品的长期可靠性和批次稳定性，符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准的部分要求，增强了其在严苛应用中的适用性。

应用

KDZVTR11B常用于需要精准电压参考或过压保护的小信号电路中。典型应用场景包括电源管理单元中的反馈回路基准电压设定、ADC/DAC参考电压源、传感器信号调理电路中的偏置电压生成以及接口电平转换器中的电压箝位。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它被广泛用于保护敏感IC免受瞬态电压冲击。此外，在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输入模块的信号限幅，防止因感应电压过高而损坏控制器。在通信设备中，KDZVTR11B可用于保护数据线路免受静电放电（ESD）影响，提升系统的电磁兼容性（EMC）。由于其快速响应特性和稳定的击穿行为，也可作为简单稳压电源的核心元件，应用于低电流负载如LED驱动、继电器控制或MCU复位电路中。其表面贴装形式便于自动化装配，适合大规模生产。