时间：2025/12/28 14:46:10
阅读：53
KTC4379FU-RTK/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于高功率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理系统以及各种开关电源电路。
类型：N 沟道
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：100A
导通电阻 Rds(on)：≤ 4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：100W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
KTC4379FU-RTK/P 以其出色的电气性能和稳定性著称。其低导通电阻使得在大电流应用中功耗更低，从而提高了整体系统的效率。该器件的高电流承载能力使其能够胜任高功率密度的设计要求。此外，其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，增强了在高功率应用中的可靠性。
KTC4379FU-RTK/P 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压输入，便于与多种驱动电路兼容。该器件还具备良好的抗过载和短路能力，适用于需要高稳定性和安全性的工业级应用。其耐用的封装设计和内部结构优化，有助于在高温环境下保持稳定工作状态，延长使用寿命。
该 MOSFET 主要应用于电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动系统、电池充电管理电路、UPS（不间断电源）系统以及各种高性能电源设备。此外，KTC4379FU-RTK/P 也常用于高功率 LED 照明驱动、服务器电源系统和工业自动化控制电路中。
Si4410BDY, IRF1404, AO4404, STP100N3LL
