时间：2025/6/9 17:30:58
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ZGC027TD40K700是一种基于碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET芯片，适用于高电压、高效率的应用场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低系统能耗并提升整体效率。
这款器件通常被设计用于高压电源转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他需要高效能量转换的工业应用中。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：50nC
开关频率：高达100kHz
封装形式：裸芯片
ZGC027TD40K700采用了先进的碳化硅材料制造工艺，使其具备卓越的电气性能。首先，其1200V的额定电压确保了在高电压环境下稳定运行的能力。其次，70mΩ的极低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统的能效水平。
此外，该芯片的开关速度非常快，支持高达100kHz的开关频率，这使得它非常适合高频应用场合。同时，其较低的栅极电荷减少了驱动功耗，进一步优化了整体效率。
由于采用裸芯片的形式，用户可以根据实际需求选择合适的封装方式，从而满足不同应用场景的空间限制和技术要求。
总体而言，ZGC027TD40K700以其高性能和可靠性成为高压功率转换领域的理想选择。
该芯片广泛应用于高压大功率领域，例如工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电桩以及各类高压DC-DC转换器等。在这些应用中，ZGC027TD40K700通过提供高效率和低损耗的功率转换能力，帮助实现更紧凑、更轻量化的设计方案，同时也为绿色能源转型提供了技术支持。
ZGC027TD40K650
ZGC027TD30K700
STPSC40H12W
CSD19540KCS
