时间：2025/4/3 9:40:09
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JANTXV2N5416UA 是一款军用级别的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，广泛应用于需要高可靠性和低功耗的场景。该器件采用了先进的CMOS技术，具备快速访问时间、低功耗以及高度可靠的特性。它支持多种工作模式，并且能够在极端温度和恶劣环境下稳定运行。
JANTXV2N5416UA 的设计符合军用标准MIL-PRF-38535，这意味着它具有出色的抗辐射能力和环境适应性，适用于航空航天、军事通信和其他对可靠性要求极高的领域。
存储容量：524,288 字节 (512K x 8)
访问时间：10 纳秒
电源电压：3.3V 或 5V 可选
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装形式：Ceramic Flatpack (CFP)
引脚数：84
数据保持时间：无限期
静态电流：典型值 5mA
1. 军用级可靠性，适合极端环境应用。
2. 高速读写能力，10ns 访问时间确保快速响应。
3. 支持双电源电压操作（3.3V 和 5V），增强了设计灵活性。
4. 大容量存储，单芯片即可提供 512KB 的 SRAM 容量。
5. 抗辐射增强设计，可在高辐射环境中保持数据完整性。
6. 超宽工作温度范围，适应从极寒到高温的各种条件。
7. 符合 MIL-PRF-38535 标准，确保长期使用的稳定性。
1. 航空航天系统中的数据记录与处理。
2. 军事通信设备中的临时数据存储。
3. 卫星和深空探测器中的关键任务数据缓存。
4. 工业控制领域的实时数据处理。
5. 医疗成像设备中的高速图像缓存。
6. 高能物理实验中的数据采集系统。
由于其军用级别的性能，这款芯片在任何需要长时间稳定运行且对环境耐受性要求极高的场合都表现优异。
JANTXV2N5416UB
JANTXV2N5416UC
JANTXV2N5416UD
