最大正向电流：350 mA
　　最大反向电压：100 V
　　工作频率范围：DC至2 GHz
　　电容（@1 MHz）：0.25 pF
　　正向压降：1.8 V（@350 mA）
　　热阻（结至外壳）：40°C/W
　　封装类型：SOT-223

HMPP-3895-TR2具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于高频功率处理环境。
　　首先，其高正向电流能力（350 mA）和低正向压降（1.8 V）确保在高功率信号下仍能保持低损耗和高效率，同时减少发热。
　　其次，最大反向电压达到100 V，使其在高电压应用中具备更强的稳定性和抗干扰能力。这在射频开关和衰减器中尤为重要，因为这些设备经常需要在不同功率级别下工作。
　　此外，该二极管的电容值非常低（0.25 pF @ 1 MHz），有助于减少高频信号下的寄生效应，从而提高整体系统的频率响应和信号完整性。
　　封装方面，SOT-223是一种具有较好散热性能的小型封装形式，能够有效管理热应力，延长器件寿命。其热阻为40°C/W，表明在相同功率下，温度上升相对较低，从而提高器件的可靠性和稳定性。
　　最后，该器件的工作频率范围覆盖DC至2 GHz，适用于多种射频和微波应用，如无线基础设施、测试设备和工业控制系统。

HMPP-3895-TR2广泛应用于需要高功率处理能力的射频和微波系统中。
　　主要应用领域包括射频开关和衰减器，这些设备在通信系统中用于控制信号路径和功率水平。由于其低电容和高频率响应，HMPP-3895-TR2非常适合用于多路复用器和天线调谐电路。
　　此外，该二极管还常用于无线基础设施设备，如蜂窝基站和微波回传系统，以实现高效的信号路由和管理。在这些应用中，器件的高可靠性、高功率耐受性和良好的热管理能力是至关重要的。
　　它也被用于测试和测量设备，如频谱分析仪和信号发生器，作为高频率信号路径控制元件。在这些高精度设备中，HMPP-3895-TR2的稳定性和一致性有助于确保测量结果的准确性。
　　工业控制系统和射频能量应用也常常采用该器件，例如RF加热和等离子体生成设备中，用于控制和调节高功率射频信号。

HSMP-3892, HSMP-3896, BAR 64-03V