KTC4376Y-RTF 时间：2025/12/28 15:42:52 阅读：20

KTC4376Y-RTF 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。KTC4376Y-RTF 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W

特性

KTC4376Y-RTF 采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，使得其在高压和大电流环境下仍能保持较低的导通电阻，从而有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大为 4.5mΩ，使其在高电流应用中表现出色，例如电源转换器和负载开关。此外，该 MOSFET 具有较高的栅极耐压能力（±20V），增强了其在高频开关应用中的稳定性。
　　TO-252（DPAK）封装设计不仅支持表面贴装工艺，还提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的温度管理。该封装还具有较高的机械强度和耐久性，适用于各种工业和汽车电子环境。
　　该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 120A，在适当的散热条件下可以满足大功率需求。同时，其额定漏源电压为 30V，适用于多种低压功率系统，如电池管理系统、电机控制和电源分配系统等。KTC4376Y-RTF 还具有快速开关特性，适合用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路。

应用

KTC4376Y-RTF MOSFET 主要应用于功率电子领域，包括但不限于以下场景：
　　在 DC-DC 转换器中，该器件用于高频开关操作，提高能量转换效率并减小电源模块的尺寸。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流电路的理想选择。
　　在电源管理系统中，该 MOSFET 可作为负载开关，用于控制电源路径和负载隔离，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备等高功率需求的系统。
　　在电机驱动和 H 桥电路中，KTC4376Y-RTF 能够承受较高的电流和频繁的开关操作，确保电机运行的稳定性和效率。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。