时间：2025/11/13 16:18:49
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CIS10P260AC是一款由长晶科技（CJ Semiconductor）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用先进的沟槽技术制造，具有高效率和优良的热稳定性。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子设备设计中。CIS10P260AC在低电压控制逻辑下能够实现高效的导通性能，适合用于电池供电系统中的开关控制。
作为一款通用型MOSFET，CIS10P260AC具备较低的导通电阻和快速的开关响应能力，能够在有限的空间内提供良好的功率处理能力。其引脚排列符合标准SOT-23规范，便于自动化贴片生产，并与多种现有设计兼容。由于采用了成熟的半导体工艺，该器件具备较高的可靠性，在工业级温度范围内稳定工作，广泛应用于消费类电子产品、通信模块及智能控制单元中。
型号：CIS10P260AC
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：5.4A @ VGS=4.5V
脉冲漏极电流(ID_pulse)：16A
导通电阻(RDS(on))：26mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.2V
输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=10V
输出电容(Coss)：120pF @ VDS=10V
反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-23
CIS10P260AC采用先进的沟槽栅极MOSFET工艺，确保了器件在低电压驱动条件下仍能保持优异的导通性能。其典型的导通电阻仅为26mΩ（在VGS=4.5V时），有效降低了导通损耗，提升了整体系统的能效表现。这一特性使其特别适用于对功耗敏感的应用场景，例如移动设备的电源管理电路或便携式仪器中的负载开关控制。此外，即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下，RDS(on)也仅上升至32mΩ，表明该器件对现代低压逻辑信号具有良好兼容性，可直接由微控制器I/O口驱动而无需额外电平转换电路。
该器件的最大连续漏极电流可达5.4A，短时脉冲电流能力高达16A，具备较强的瞬态负载承受能力，适用于需要突发大电流输出的场合，如LED闪光灯驱动或小型直流电机启停控制。同时，其较低的输入电容（Ciss=450pF）和反向传输电容（Crss=40pF）有助于减少开关过程中的能量损耗并抑制高频噪声传播，从而提升开关速度并改善电磁兼容性（EMC）表现。
得益于SOT-23超小型封装，CIS10P260AC占用PCB面积极小，非常适合高密度布局需求。该封装还具备良好的散热性能，配合合理的PCB布线设计可有效将热量传导至地平面，延长器件使用寿命。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境条件下可靠运行，满足工业级应用要求。所有参数均经过严格测试，保证批次一致性，有利于大规模量产使用。
CIS10P260AC广泛应用于各类中小功率开关电路中，尤其适用于便携式电子设备的电源管理系统。典型应用场景包括锂电池供电设备中的充放电保护电路、USB电源开关、DC-DC升压或降压变换器的同步整流元件、以及各类低电压直流电机的驱动控制。由于其具备快速开关响应能力和低导通电阻，该器件常被用于提高电源转换效率，减少发热问题。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，CIS10P260AC可用于实现高效能的负载开关，控制不同功能模块的供电通断，以达到节能待机的目的。此外，在智能家居传感器节点、无线通信模块（如Wi-Fi或Zigbee模组）中，该器件可用于电源门控技术，动态管理芯片供电状态，延长电池续航时间。
工业控制领域中，该MOSFET也可用于驱动继电器、电磁阀或LED指示灯阵列，作为固态开关替代机械继电器，提升系统响应速度和可靠性。同时，因其良好的温度稳定性和抗干扰能力，适用于嵌入式控制系统、PLC扩展模块及小型自动化设备中的信号切换与功率控制环节。
SI2302,DMG2302U,MCH3311
