时间：2025/12/25 14:07:34
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BZX84C8V2LT116是一款表面贴装的齐纳二极管，属于BZX84系列的一部分。该器件由ON Semiconductor（安森美）生产，采用SOD-323小型封装，适用于需要紧凑设计和高效能稳压功能的应用场景。其标称齐纳电压为8.2V，在规定的测试电流条件下能够提供稳定的反向击穿电压，用于电压参考、电源钳位、过压保护以及信号电平调节等电路中。由于采用了先进的平面外延制造工艺，该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。BZX84C8V2LT116特别适合在便携式电子设备、消费类电子产品、通信模块和工业控制电路中使用，满足现代电子系统对小型化和高集成度的需求。其低功耗特性和快速响应能力使其成为许多低压直流系统的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造要求。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-323
齐纳电压VZ：8.2V @ 5mA
容差：±5%
最大耗散功率：250mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
温度系数：+4.0 mV/°C（典型值）
动态电阻：≤20Ω @ 1kHz
反向漏电流：≤1μA @ 1V
BZX84C8V2LT116齐纳二极管具有多项关键特性，确保其在各种电压调节与保护应用中表现优异。首先，其精确的8.2V齐纳电压结合±5%的容差范围，能够在多种电路环境中提供可靠的电压基准，尤其适用于需要稳定参考电压的模拟和数字接口电路。其次，该器件在5mA的测试电流下工作，属于低电流驱动型齐纳管，适合用于低功耗系统或电池供电设备中，有效降低整体能耗。其动态电阻较低（典型值小于20Ω），意味着在负载变化时电压波动小，提升了稳压精度。此外，该器件具备良好的温度稳定性，温度系数为+4.0mV/°C，虽然呈现正温度系数，但在多数应用场景中可通过外围电路进行补偿，从而实现更精确的电压控制。
另一个显著优势是其采用SOD-323超小型表面贴装封装，体积小巧，仅约1.7mm x 1.3mm x 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，非常适合高密度贴片组装工艺。这种封装还具有优良的散热性能和机械强度，能够在回流焊过程中承受高温冲击，保证装配良率。器件的最大功耗为250mW，结合良好的热传导设计，可在连续工作状态下维持稳定性能。同时，其反向漏电流极低（≤1μA @ 1V），在未达到击穿电压前几乎不导通，有助于提高电路的静态效率。该器件的工作结温可达150°C，适用于严苛环境下的工业级应用。最后，BZX84C8V2LT116通过AEC-Q101认证的可能性较高，具备一定的汽车级应用潜力，广泛用于车载电子模块中的电源管理单元。
BZX84C8V2LT116广泛应用于各类需要精密电压参考和过压保护的电子系统中。常见用途包括作为微控制器I/O端口的电压钳位元件，防止静电放电（ESD）或瞬态电压损坏敏感逻辑电路；也可用于低压电源轨的稳压设计，例如在3.3V或5V系统中为传感器、ADC参考源或运算放大器提供稳定的偏置电压。在通信接口如USB、I2C、RS-232等信号线上，该器件可用于抑制噪声干扰和瞬态尖峰，提升信号完整性。此外，它常被用作反馈回路中的参考元件，在开关电源或线性稳压器中辅助实现输出电压调节。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中也大量采用此类小型齐纳管以实现紧凑设计。工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、数据采集前端的信号调理电路，提供可靠的电压限制功能。汽车电子领域中，其可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或电池管理系统中的次级保护电路。得益于其符合RoHS标准且支持无铅焊接，BZX84C8V2LT116适用于自动化贴片生产线，便于大规模制造和返修操作。
MMBZ84C8V2T1G
PMBZ84C8V2,215
ZMM8V2
