UNR921MJ0L 时间：2025/12/26 10:13:48 阅读：12

UNR921MJ0L是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。与传统的硅基二极管相比，碳化硅肖特基二极管具有更低的正向导通压降、极快的反向恢复速度以及出色的热稳定性，使其在开关电源、逆变器、功率因数校正（PFC）电路和电动汽车充电系统等高性能应用场景中表现出色。UNR921MJ0L采用表面贴装封装形式，具备良好的散热性能和机械可靠性，适用于自动化生产和紧凑型电源模块设计。其无反向恢复电荷的特性显著降低了开关损耗，提高了系统的整体能效，并减少了电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计。此外，该器件具有较高的反向击穿电压，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，是现代高效能电源系统中的关键组件之一。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：900 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A
　　最大正向电压（VF）：1.7 V（在1 A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：100 μA（在25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN8（双侧散热）

特性

UNR921MJ0L的核心优势在于其采用的碳化硅材料所带来的卓越电气性能。首先，该器件具备极低的正向导通压降，在额定电流下仅为1.7V左右，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源转换效率。相较于传统硅PIN二极管，这种低VF特性在中低电流工作区间尤为明显，能够有效减少发热，延长系统寿命。其次，作为肖特基结构的二极管，UNR921MJ0L没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复时间（trr），从而彻底消除了由反向恢复引起的开关损耗和电压振铃现象。这一特性在高频开关应用中至关重要，例如在连续导通模式（CCM）的功率因数校正（PFC）升压二极管中，可以大幅降低主开关管（如MOSFET或GaN HEMT）的关断应力，提升系统效率并允许更高的开关频率，进而减小磁性元件和电容的体积，实现更紧凑的设计。
　　此外，UNR921MJ0L具有出色的热稳定性和高温工作能力，其最大结温可达+175°C，远高于传统硅器件的+150°C限制。这意味着在高功率密度或自然冷却的应用场景中，该器件仍能保持可靠运行，无需过度依赖复杂的散热系统。同时，其较低的温度系数使得正向电压随温度变化较小，保证了在宽温度范围内的一致性能表现。该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复峰值电流，增强了在瞬态负载或电网波动情况下的鲁棒性。DFN8封装采用双侧散热设计，底部和顶部均可进行热传导，极大提升了热管理效率，特别适合安装在带有散热片或PCB内层铜箔的大功率应用中。综上所述，UNR921MJ0L凭借其高效的导通特性、零反向恢复损耗、高耐温能力和紧凑封装，成为下一代高效电源系统中理想的续流或整流二极管解决方案。

应用

UNR921MJ0L广泛应用于各类需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS），尤其是在服务器电源、电信电源和高端消费类电源中用作输出整流或PFC升压二极管。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护或辅助电源整流，利用其低损耗特性提高整体能量转换效率。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UNR921MJ0L常被用于功率因数校正级或DC-DC变换器中的续流路径，以降低系统损耗并提升功率密度。其高频兼容性也使其适用于LLC谐振转换器、图腾柱PFC拓扑等先进电路架构，配合宽带隙功率开关（如SiC MOSFET或GaN晶体管）共同构建全宽带隙电源系统。其他应用还包括不间断电源（UPS）、电机驱动器中的续流保护电路以及高可靠性工业控制设备中的整流单元。得益于其宽温度范围和高可靠性，该器件也可用于严苛环境下的户外或车载电子系统。