时间：2025/12/28 16:02:18
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KTC4374-O-RTF 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET，常用于高功率开关应用中。这款 MOSFET 设计用于高效的电源管理，适用于 DC-DC 转换器、电源供应器、负载开关以及电机控制等场景。KTC4374-O-RTF 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合在需要高效能和高可靠性的电路中使用。
类型：N 沟道
漏极电流 (Id)：60A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：30V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KTC4374-O-RTF 具备多项优异特性，使其在功率 MOSFET 领域表现出色。首先，其导通电阻（Rds(on)）非常低，最大仅为 4.5mΩ，在 10V 栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的额定漏极电流为 60A，漏极-源极击穿电压为 30V，能够在高电流和中等电压条件下稳定运行，适用于多种高功率应用。KTC4374-O-RTF 的栅极-源极电压范围为 ±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动电路设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应极端环境下的运行需求，提升了器件的可靠性与稳定性。该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于在 PCB 上安装和集成。此外，KTC4374-O-RTF 在设计上优化了热阻和开关损耗，使其在高频开关应用中也能保持高效率和低损耗。这些特性共同确保了 KTC4374-O-RTF 在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等领域中具备优异的性能表现。
KTC4374-O-RTF 广泛应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块、工业控制设备以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源转换和功率控制应用的理想选择。此外，该 MOSFET 还适用于需要高可靠性和宽工作温度范围的工业及汽车应用，如车载充电器、LED 驱动电源、太阳能逆变器等。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDP6680, IPD95N30C3
