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KTC4373-Y-RTF/P 发布时间 时间:2025/9/12 13:02:15 查看 阅读:12

KTC4373-Y-RTF/P 是一款由KEXIN(科信)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等场合。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点,适合在中高功率应用中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为8.5mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KTC4373-Y-RTF/P 具有优异的电气性能和稳定性,其低导通电阻特性使其在高电流应用中具有更低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具有快速的开关响应时间,能够在高频开关应用中表现出色,减少开关损耗。
  这款器件采用TO-252封装,具有良好的热管理和机械稳定性,适用于表面贴装技术(SMT),便于在PCB上安装和自动化生产。其高耐压能力(VDS=30V)和大电流承载能力(100A)使其适用于各种电源转换和电机控制应用。
  同时,KTC4373-Y-RTF/P 的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅极电压,增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其高可靠性设计也使其适用于工业级和汽车电子系统中,能够承受较为严苛的工作环境。

应用

KTC4373-Y-RTF/P 常用于以下应用领域:电力电子变换器(如DC-DC转换器、AC-DC电源)、电机驱动控制电路、电池管理系统(BMS)、负载开关控制、工业自动化设备和汽车电子系统等。由于其高效率和高可靠性的特点,该MOSFET在电源管理和功率控制领域具有广泛的应用前景。

替代型号

Si4410BDY-T1-E3、IRF1405、AO4406、NTMFS4C10N、FDMS86101

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