您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FCPF2250N80

FCPF2250N80 发布时间 时间:2025/8/24 20:03:44 查看 阅读:14

FCPF2250N80是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的Super Junction(超级结)技术,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的开关性能。FCPF2250N80主要设计用于高效率的电源转换系统,如AC-DC电源适配器、服务器电源、光伏逆变器和电动车辆充电系统等应用。该MOSFET采用TO-247封装,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):800V
  最大漏极电流(ID):14A
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω
  栅极电荷(Qg):54nC
  输入电容(Ciss):1050pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-247

特性

FCPF2250N80具有多项显著的技术特性,首先是其Super Junction结构,这使得该器件在保持高耐压能力的同时,实现了极低的导通电阻,从而显著降低了导通损耗。这种特性在高功率密度电源系统中尤为重要,因为它可以提高系统效率并减少散热需求。
  其次,该MOSFET的高击穿电压能力(800V)使其适用于高压输入的电源系统,如通用输入电压范围为85V至265V的AC-DC转换器。此外,该器件的开关性能优异,栅极电荷(Qg)仅为54nC,有助于降低高频开关应用中的开关损耗。
  另一个显著特点是其良好的热稳定性和可靠性,TO-247封装提供了良好的散热性能,使得该器件能够在较高的工作温度下稳定运行。FCPF2250N80还具备较低的反向恢复电荷(Qrr),这对提高同步整流和桥式电路中的效率具有重要作用。
  最后,该器件的制造符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

FCPF2250N80广泛应用于各种高效率电源转换系统。典型应用包括AC-DC电源适配器、服务器电源供应器、光伏逆变器、电动汽车充电设备、电池管理系统(BMS)以及工业电源系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性,该MOSFET也非常适合用于功率因数校正(PFC)电路和DC-DC转换器拓扑结构,如LLC谐振变换器和半桥/全桥拓扑。此外,在需要高可靠性和高效率的汽车电子系统中,该器件也发挥着重要作用。

替代型号

STF22N80K5, FCPF2250S, FCP22N80

FCPF2250N80推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价