时间：2025/8/24 20:03:44
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FCPF2250N80是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的Super Junction（超级结）技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的开关性能。FCPF2250N80主要设计用于高效率的电源转换系统，如AC-DC电源适配器、服务器电源、光伏逆变器和电动车辆充电系统等应用。该MOSFET采用TO-247封装，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：800V
最大漏极电流（ID）：14A
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω
栅极电荷（Qg）：54nC
输入电容（Ciss）：1050pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
FCPF2250N80具有多项显著的技术特性，首先是其Super Junction结构，这使得该器件在保持高耐压能力的同时，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗。这种特性在高功率密度电源系统中尤为重要，因为它可以提高系统效率并减少散热需求。
其次，该MOSFET的高击穿电压能力（800V）使其适用于高压输入的电源系统，如通用输入电压范围为85V至265V的AC-DC转换器。此外，该器件的开关性能优异，栅极电荷（Qg）仅为54nC，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。
另一个显著特点是其良好的热稳定性和可靠性，TO-247封装提供了良好的散热性能，使得该器件能够在较高的工作温度下稳定运行。FCPF2250N80还具备较低的反向恢复电荷（Qrr），这对提高同步整流和桥式电路中的效率具有重要作用。
最后，该器件的制造符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
FCPF2250N80广泛应用于各种高效率电源转换系统。典型应用包括AC-DC电源适配器、服务器电源供应器、光伏逆变器、电动汽车充电设备、电池管理系统（BMS）以及工业电源系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该MOSFET也非常适合用于功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器拓扑结构，如LLC谐振变换器和半桥/全桥拓扑。此外，在需要高可靠性和高效率的汽车电子系统中，该器件也发挥着重要作用。
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