时间:2025/12/28 15:57:48
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KTC4372-Y 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流和高电压开关应用。这款MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的场合,例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池充电系统。KTC4372-Y采用了高性能的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):约2.3mΩ(典型值,具体取决于测试条件)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(Pd):150W
KTC4372-Y具有多项优异的电气特性和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,这款MOSFET的低导通电阻(Rds(on))确保在高电流条件下,功率损耗最小化,从而提高整体系统的效率。此外,其最大漏极电流可达120A,适合用于高功率密度的设计。
其次,KTC4372-Y的漏源电压为30V,栅源电压范围为±20V,使其在各种电源管理应用中具有良好的稳定性和耐久性。该器件在极端工作温度下也能保持良好的性能,工作温度范围从-55°C到150°C,适应各种严苛环境条件。
封装方面,KTC4372-Y采用标准的TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,便于安装在散热器上,以确保长时间运行时的稳定性。TO-220封装也广泛用于工业级应用,易于集成到PCB设计中。
最后,KTC4372-Y具备快速开关特性,减少开关损耗并提高系统响应速度,使其在高频开关应用中表现出色。这些特性使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。
KTC4372-Y广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。例如,在DC-DC转换器和同步整流器中,该MOSFET的低导通电阻和快速开关特性可以提高转换效率,减少热量产生。此外,它也适用于电机驱动和负载开关电路,其中高电流承载能力和高可靠性是关键要求。
在电池管理系统(BMS)中,KTC4372-Y可用于高侧或低侧开关,以控制电池充放电过程,确保系统的安全运行。由于其耐高压和高温的特性,它也常用于工业自动化设备、电源供应器以及电动汽车相关应用。
另外,KTC4372-Y还可用于功率因数校正(PFC)电路、逆变器和UPS(不间断电源)系统中,以满足对高效率和稳定性的需求。
SiR142DP-T1-GE、IRF1404、FDMS86180、NVMD142N03CLTSG、KTD142N03L