KTC4072V 时间：2025/12/28 16:18:34 阅读：15

KTC4072V 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。KTC4072V 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在高频开关应用中表现出色，同时具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.7mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　漏极电容（Coss）：约 2200pF
　　栅极电荷（Qg）：约 100nC

特性

KTC4072V MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，例如服务器电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　此外，KTC4072V 具有良好的热性能，其 TO-263 封装能够有效地将热量传导至 PCB 板，从而减少外部散热片的需求。这种特性对于紧凑型设计尤为重要。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，适用于多种驱动电路设计，包括使用 5V 控制信号的微控制器或 PWM 控制器。
　　由于其高频响应能力，KTC4072V 适用于高频开关应用，如同步整流器和电机驱动器。它能够有效减少开关损耗并提高系统的响应速度，从而提升整体性能。

应用

KTC4072V 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其低 Rds(on) 和高电流能力，适用于高效率的 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计。
　　2. 同步整流器：在反激式或正激式转换器中用于提高整流效率。
　　3. 电机驱动器：作为 H 桥结构中的功率开关，提供高电流输出和快速响应。
　　4. 负载开关：用于电池管理系统或负载控制电路中，实现高效能的电源切换。
　　5. 电源管理模块：如服务器电源、电信设备电源和工业控制电源等。
　　6. 太阳能逆变器：用于 DC-AC 转换电路中的功率开关，提高能量转换效率。