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GA1210A272JBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:27:32 查看 阅读:3

GA1210A272JBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力等特性,适用于各类电源管理及功率转换应用。其封装形式为行业标准的TO-263(DPAK),便于集成到各种电子系统中。
  该型号特别针对高效能开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动应用进行了优化设计,可有效降低功耗并提升整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:ton=13ns, toff=28ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了高效的功率传输,减少了功率损耗。
  2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频开关应用,能够显著降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 具备优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 封装形式紧凑,便于PCB布局及散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
  5. 各类需要高效功率控制的应用场景,例如汽车电子、通信设备电源等。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP40NF06L

GA1210A272JBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-