时间：2025/9/1 13:30:31
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IS61WV5128BLL-10TLI-TR是一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。该器件的存储容量为512K x 8位，适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场合。该芯片采用CMOS技术制造，具有宽电压范围、低待机电流和高速访问时间等特点。
容量：512K x 8位
访问时间：10 ns
电压范围：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装引脚数：54
最大工作频率：100 MHz
数据输入/输出：8位
功耗（典型值）：100 mA（工作模式），10 μA（待机模式）
IS61WV5128BLL-10TLI-TR具有多项优异特性，适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。其高速访问时间（10 ns）使得该SRAM能够在高频环境下稳定运行，支持100 MHz的工作频率，满足高速缓存和实时数据处理的需求。该器件的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的适应能力，适用于电池供电设备和工业现场的复杂环境。
此外，该SRAM的功耗控制表现优秀，在典型工作模式下电流消耗仅为100 mA，而在待机模式下可低至10 μA，有助于降低系统整体功耗，延长电池使用寿命。其-40°C至+85°C的工业级工作温度范围确保其在恶劣环境中依然能稳定运行，广泛适用于工业自动化、通信设备和汽车电子系统。
芯片采用54引脚TSOP封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。IS61WV5128BLL-10TLI-TR在设计上兼容多种主流处理器接口，简化了系统集成的复杂度，并提升了系统的稳定性和兼容性。
IS61WV5128BLL-10TLI-TR广泛应用于需要高速、低功耗和宽温度范围的电子系统中。其典型应用包括工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、医疗仪器、汽车电子（如车载导航和控制系统）、消费类电子产品（如数码相机和高端游戏设备）以及嵌入式系统的高速缓存和数据缓冲模块。该器件的高可靠性、低功耗和宽电压支持，使其成为工业和汽车应用中的理想选择。
IS61WV5128BLL-10BLLI-TR, IS61WV5128BLL-12TLI-TR, CY62148E
