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IS61WV5128BLL-10TLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 13:30:31 查看 阅读:13

IS61WV5128BLL-10TLI-TR是一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造。该器件的存储容量为512K x 8位,适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场合。该芯片采用CMOS技术制造,具有宽电压范围、低待机电流和高速访问时间等特点。

参数

容量:512K x 8位
  访问时间:10 ns
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54
  最大工作频率:100 MHz
  数据输入/输出:8位
  功耗(典型值):100 mA(工作模式),10 μA(待机模式)

特性

IS61WV5128BLL-10TLI-TR具有多项优异特性,适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。其高速访问时间(10 ns)使得该SRAM能够在高频环境下稳定运行,支持100 MHz的工作频率,满足高速缓存和实时数据处理的需求。该器件的工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的适应能力,适用于电池供电设备和工业现场的复杂环境。
  此外,该SRAM的功耗控制表现优秀,在典型工作模式下电流消耗仅为100 mA,而在待机模式下可低至10 μA,有助于降低系统整体功耗,延长电池使用寿命。其-40°C至+85°C的工业级工作温度范围确保其在恶劣环境中依然能稳定运行,广泛适用于工业自动化、通信设备和汽车电子系统。
  芯片采用54引脚TSOP封装,具备良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。IS61WV5128BLL-10TLI-TR在设计上兼容多种主流处理器接口,简化了系统集成的复杂度,并提升了系统的稳定性和兼容性。

应用

IS61WV5128BLL-10TLI-TR广泛应用于需要高速、低功耗和宽温度范围的电子系统中。其典型应用包括工业控制系统、通信设备(如路由器和交换机)、医疗仪器、汽车电子(如车载导航和控制系统)、消费类电子产品(如数码相机和高端游戏设备)以及嵌入式系统的高速缓存和数据缓冲模块。该器件的高可靠性、低功耗和宽电压支持,使其成为工业和汽车应用中的理想选择。

替代型号

IS61WV5128BLL-10BLLI-TR, IS61WV5128BLL-12TLI-TR, CY62148E

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IS61WV5128BLL-10TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流40 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous