时间：2025/12/28 14:51:17
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KTC3880SY 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、同步整流等电力电子应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效率和小型化电源系统的设计。KTC3880SY 采用表面贴装（SOP）封装，便于在PCB上安装并实现良好的散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大23mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP（表面贴装）
KTC3880SY MOSFET具备多项优异特性，使其在功率转换应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具有高开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围电感和电容的尺寸，实现电源系统的紧凑化设计。
此外，KTC3880SY采用了SOP封装形式，不仅便于自动化生产，而且具备良好的散热性能，适用于连续高功率工作的环境。该器件还具备较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下可靠运行。
在可靠性方面，KTC3880SY具有较高的抗过载能力，并具备良好的短路耐受性。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了设计的灵活性，使得栅极驱动电路的设计更加简便。
总体而言，KTC3880SY是一款性能稳定、效率高、适用于多种电源拓扑结构的功率MOSFET，广泛用于笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电池管理系统以及各种DC-DC转换器中。
KTC3880SY MOSFET主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动控制电路。由于其低导通电阻和高开关速度，特别适合于需要高效率和小体积的电源模块设计。此外，它也被广泛用于工业控制、消费类电子产品以及便携式设备中的电源管理部分。
Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, AOD4144
