IXYP30N65C3是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高功率应用,例如电源转换器、电机控制和工业自动化设备。该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,以提供更低的导通电阻和更高的效率。IXYP30N65C3的工作电压为650V,最大连续漏极电流可达30A,适用于需要高可靠性和高性能的系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(最大)
最大功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
IXYP30N65C3具有多项优异的电气特性,首先其低导通电阻(Rds(on))有助于降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术,优化了开关性能,从而减少了开关损耗。
其次,IXYP30N65C3具备较高的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,适用于严苛的工作条件。该MOSFET还具有较强的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
此外,该器件的封装设计(TO-247)提供了良好的散热性能,适用于高功率密度的应用场景。其栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路,便于集成到各种设计中。
最后,IXYP30N65C3具有较高的dv/dt耐受能力,能够有效防止因快速开关引起的误触发问题,从而提高系统的稳定性。
IXYP30N65C3广泛应用于各种高功率电子系统中。最常见的用途是作为功率开关用于开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器,其高电压和大电流能力使其非常适合这类应用。
此外,该MOSFET也常用于电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动器和伺服控制系统,其快速开关特性和低导通电阻可提高电机控制的效率和响应速度。
工业自动化设备和变频器也是IXYP30N65C3的重要应用领域,适用于需要高可靠性和高效率的工业控制系统。
另外,该器件还可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及电动车充电设备等新兴领域,满足现代电力电子设备对高效率和高可靠性的需求。
STP30N65FA, FQA30N65, IRFP4668