时间：2025/12/28 15:44:30
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KTC3790U是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高效率电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，使其适用于中高功率的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A（典型值，具体取决于封装和散热条件）
漏-源极击穿电压（Vds）：60V
栅-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：通常小于50mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：1.4W（TO-252封装）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KTC3790U的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在较高温度下稳定运行。此外，KTC3790U采用了快速开关设计，减少了开关损耗，提高了响应速度，适合高频开关应用。其封装形式（如TO-252）具有良好的散热性能，适用于需要较高功率密度的设计。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，能够在一定程度上防止因负载突变导致的损坏。此外，KTC3790U的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。
KTC3790U广泛应用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）中的开关控制、电机驱动电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也可用于LED照明驱动、充电器电路以及各类嵌入式系统的电源管理部分。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N, AO4406, NTD4858N
