XQR5VFX130-1CN1752B是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低发热。此外,它还具备出色的热稳定性和耐受能力,能够在恶劣环境下长期可靠运行。
这款芯片特别适用于需要高效能转换和低功耗设计的应用场合,其紧凑的封装形式也使得它非常适合空间受限的设计场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总闸电荷(Qg):60nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
XQR5VFX130-1CN1752B的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
3. 高额定电流能力,可满足大功率应用需求。
4. 紧凑的封装尺寸,节省PCB板空间。
5. 出色的热性能,确保在高温环境下的稳定性。
6. 高度可靠的电气性能,延长使用寿命。
7. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
XQR5VFX130-1CN1752B适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器中的功率开关。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的功率调节组件。
7. 其他需要高效能功率转换的领域。
IRF540N
STP36NF06L
FDP5800
AO3400