时间：2025/5/7 15:44:21
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NTD4969NT4G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及高击穿电压的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块等。
该 MOSFET 的设计目标是提高效率并降低功耗，非常适合于需要高性能和可靠性的工业及消费类电子产品中。
型号：NTD4969NT4G
封装：TO-263
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：67A
Bvdss（击穿电压）：60V
Qg（总栅极电荷）：41nC
Ciss（输入电容）：3880pF
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2V~4V
Tj（结温范围）：-55℃~175℃
NTD4969NT4G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流 Id 和击穿电压 Bvdss，使其能够承受较大的负载条件。
3. 快速的开关性能，得益于较小的总栅极电荷 Qg 和优化的内部结构设计。
4. 宽广的工作温度范围 Tj，适应各种严苛环境下的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保且适合长期使用。
这些特性共同确保了该 MOSFET 在高功率密度应用中的优异表现。
NTD4969NT4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率级控制。
2. 电机驱动电路中的桥式配置或半桥驱动。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电信和网络设备中的高效电源管理方案。
6. 各种便携式电子设备中的直流-直流转换器。
其强大的电流处理能力和高效的工作特性使其成为许多高要求应用的理想选择。
NTD4968N3, NTD4967NT4G
