时间：2025/4/30 16:26:46
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SI7214DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于要求高效能和低功耗的应用场景。其封装形式为 SO-8（PowerPAK SO-8），能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计方案。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
总栅极电荷：6.7nC
输入电容：930pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SI7214DN-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高效的开关性能，得益于较低的栅极电荷和快速的开关速度。
3. 工作温度范围宽广，适合多种环境条件下的应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 封装设计坚固耐用，支持大电流处理能力。
6. 内部优化的寄生参数使其在高频开关应用中表现优异。
SI7214DN-T1-GE3 可以用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及反相电路。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动器和逆变器，特别是小型直流电机或步进电机。
5. 照明系统中的 LED 驱动电路。
6. 数据通信设备中的信号切换与隔离。
7. 工业自动化设备中的电磁阀驱动和继电器控制。
SI7214DP, SI7214AL
