类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：190A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值，取决于Vgs）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263

KTC31940具有优异的导通性能和开关特性，其主要优势包括低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率；高电流承载能力，可支持大功率负载；宽泛的栅极电压范围，支持在不同驱动条件下稳定工作；良好的热稳定性与高功率耗散能力，使其在高温环境下仍能保持可靠性；此外，KTC31940具有快速开关响应时间，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC变换器和马达驱动器。
　　该器件的封装设计也有助于散热管理，例如TO-220和TO-263封装具有良好的热传导性能，适合焊接在PCB上并通过散热片进一步提高散热效果。KTC31940还具备一定的抗雪崩能力，可以在一定程度上承受瞬态电压冲击，增强器件在恶劣环境中的耐用性。

KTC31940主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流和低Rds(on)特性，它也常用于同步整流拓扑中以提升转换效率。此外，在新能源汽车、光伏逆变系统和UPS（不间断电源）中也常见该器件的身影。

IRF1404、SiR142DP、AON4702、NTMFS4C10N、FDMS7610