时间：2025/6/4 2:14:52
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NTA7002NT1G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，非常适合用于各种电源管理应用，例如负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率管理模块。
由于其小型封装和出色的电气性能，NTA7002NT1G 成为设计空间受限应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极阈值电压：1.2V
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
NTA7002NT1G 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻 (Rds(on))，在 Vgs=4.5V 时为 45mΩ，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
3. 低栅极电荷 (Qg)，可减少驱动功耗。
4. 工作电压范围宽，适用于多种应用场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 高可靠性和稳定性，确保长时间运行的性能一致性。
7. 小尺寸 SOT-23 封装节省 PCB 空间，特别适合紧凑型设计。
NTA7002NT1G 广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的领域，具体包括：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. DC-DC 转换器和降压稳压器。
3. 电池保护电路和充电管理系统。
4. LED 驱动器和背光调节。
5. 电机驱动和小型继电器替代方案。
6. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的内部电源模块。
AO3400A, IRLML6401TRPBF, FDN340P
