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NTA7002NT1G 发布时间 时间:2025/6/4 2:14:52 查看 阅读:5

NTA7002NT1G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关性能,非常适合用于各种电源管理应用,例如负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率管理模块。
  由于其小型封装和出色的电气性能,NTA7002NT1G 成为设计空间受限应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.6A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极阈值电压:1.2V
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

NTA7002NT1G 的主要特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻 (Rds(on)),在 Vgs=4.5V 时为 45mΩ,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  3. 低栅极电荷 (Qg),可减少驱动功耗。
  4. 工作电压范围宽,适用于多种应用场景。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 高可靠性和稳定性,确保长时间运行的性能一致性。
  7. 小尺寸 SOT-23 封装节省 PCB 空间,特别适合紧凑型设计。

应用

NTA7002NT1G 广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的领域,具体包括:
  1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
  2. DC-DC 转换器和降压稳压器。
  3. 电池保护电路和充电管理系统。
  4. LED 驱动器和背光调节。
  5. 电机驱动和小型继电器替代方案。
  6. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的内部电源模块。

替代型号

AO3400A, IRLML6401TRPBF, FDN340P

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NTA7002NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C154mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 欧姆 @ 154mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 5V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75,SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTA7002NT1GOSTR