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IRF7433TRPBF 发布时间 时间:2025/5/30 21:26:25 查看 阅读:24

IRF7433TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TSSOP-8 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性和电气性能。
  该器件的额定电压为 60V,能够满足多种低压应用场景的需求,同时其出色的电流处理能力(连续漏极电流可达 21A)使其成为高效功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:21A
  栅极电荷:59nC
  导通电阻(典型值):7mΩ
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TSSOP-8

特性

IRF7433TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 21A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和输入电容。
  4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 150℃),确保在恶劣环境下也能可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设计需求。
  6. 良好的热稳定性,减少因过热导致的失效风险。
  这些特性使 IRF7433TRPBF 在需要高效功率管理的应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器、电池管理系统和工业自动化设备中的功率控制模块。

应用

IRF7433TRPBF 的典型应用领域包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
  3. 电池保护和管理系统,提供高效的充电/放电路径。
  4. 各类负载切换应用,如汽车电子中的继电器替代方案。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 通信电源和适配器设计中的关键元件。
  由于其高电流能力和快速开关性能,IRF7433TRPBF 特别适合要求高效率和紧凑设计的场合。

替代型号

IRF7433TRPBF, IRF7433TRPBF-TP, IRF7433

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IRF7433TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 8.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1877pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7433PBFTRIRF7433TRPBF-NDIRF7433TRPBFTR-ND