SRM20V60FCT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于肖特基整流器系列。该器件采用 N 沟道技术,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效能量转换和低导通损耗的场景。其封装形式为 TO-220,能够提供出色的散热性能和可靠性。
该芯片以其高效率和低反向恢复电荷而闻名,特别适合高频应用环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:20A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻:15mΩ(典型值)
反向恢复时间:35ns
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
SRM20V60FCT 具有以下显著特性:
1. 高效的导通性能,降低功耗损失。
2. 极低的反向恢复电荷 (Qrr),有助于减少高频开关时的能量损耗。
3. 稳定的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
4. 小尺寸封装与优秀的散热能力相结合,简化了系统设计。
5. 可靠性高,经过严格的质量控制流程确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且支持全球市场的准入要求。
SRM20V60FCT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器及电机驱动电路。
4. 各类工业设备和消费电子产品中的高效功率管理模块。
5. 车载电子系统中,如电池管理系统 (BMS) 和 LED 照明驱动等。
IRFZ44N, FDP5580, STP20NF60