DMPH4016SSS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小型表面贴装封装(SOT-23 封装)。该器件主要设计用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其出色的电气特性和紧凑的尺寸使其成为消费电子、工业控制以及便携式设备的理想选择。
这款 MOSFET 提供了较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗并提升系统效率。此外,它具有快速开关特性,能够在高频应用中表现良好。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:1.6A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:7nC(典型值)
输入电容:280pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
DMPH4016SSS 的关键特性包括低导通电阻、高开关速度和小尺寸封装。这些特点使得它非常适合在空间受限的应用中使用,并能显著降低功耗。
1. 低导通电阻有助于提高效率,特别是在电池供电或电源管理电路中。
2. 高速开关性能可以满足高频 DC-DC 转换器的需求。
3. SOT-23 封装提供良好的热性能与电气性能,同时保持较小的物理尺寸。
4. 它还具有优异的雪崩能力和鲁棒性,增强了器件的可靠性。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和负载切换控制。
3. 消费类电子产品中的电池保护和充电管理。
4. 工业自动化中的信号调节和接口电路。
5. 电信设备中的电源管理和保护电路。
DMTH4016LSS, DMTH4018LSS