时间：2025/12/28 14:47:19
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KTC2874是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻和高开关速度，适用于各类高频、高效率电源转换系统。KTC2874通常采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.025Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220/TO-252
功率耗散(Pd)：62W
栅极电荷(Qg)：27nC
输入电容(Ciss)：1100pF
KTC2874具备优异的电性能和热性能，适用于高频率开关应用。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和较高的可靠性。此外，KTC2874具有较强的抗过载能力和较高的耐用性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其封装设计有助于快速散热，提升了整体的功率处理能力。KTC2874还具备快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等高频应用场合。
KTC2874的栅极驱动设计兼容常见的逻辑电平（如3.3V和5V），便于与微控制器、PWM控制器等驱动电路配合使用。其较高的雪崩能量耐受能力也增强了在异常工况下的安全性。此外，该器件具有良好的抗静电能力，符合工业标准的ESD保护要求。KTC2874在设计上兼顾了性能与成本，是一款性价比高的功率MOSFET解决方案。
KTC2874常用于各种电源管理与功率控制电路中，包括但不限于以下应用场景：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电路、工业自动化设备、逆变器以及各类高效率电源模块。其优异的性能也使其适用于消费类电子产品、汽车电子系统及工业控制系统中。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDPF047N06, Si4410DY
