KTC2073 时间：2025/12/28 14:37:01 阅读：27

KTC2073是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高功率应用，如电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，能够在高温环境下稳定工作。KTC2073封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：80A（在25°C下）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

KTC2073采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。
　　这款MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。
　　其高耐压特性（100V VDS）使其适用于中高电压应用场景，如开关电源、电机控制和电池管理系统。
　　此外，KTC2073具备出色的抗雪崩能力和高dv/dt耐受性，增强了器件在复杂工况下的可靠性。
　　该器件的封装设计有利于散热，可在高负载条件下保持良好的热性能，延长使用寿命。
　　由于其高栅极驱动兼容性（±20V VGS），可与多种驱动电路配合使用，提高了设计灵活性。

应用

KTC2073广泛应用于多种功率电子系统中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器；
　　2. 电动工具、无人机、电动车等的电机驱动电路；
　　3. 锂电池保护板及电池管理系统（BMS）；
　　4. DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统；
　　5. 工业自动化控制系统中的高功率开关模块；
　　6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率控制部分。