时间：2025/8/14 6:27:46
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BC817DS-25_R1_00001是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的双NPN晶体管阵列。这款晶体管设计用于通用开关和放大应用，具有出色的性能和可靠性。BC817DS-25_R1_00001采用SOT-563封装，是一款小尺寸、高性能的晶体管，适用于空间受限的电子设备。该器件的两个晶体管具有相同的电气特性，可以独立使用或并联使用以提高电流容量。BC817DS-25_R1_00001在便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统中广泛使用，提供高效的解决方案。
晶体类型：双NPN晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：45V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
增益带宽（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
封装类型：SOT-563
工作温度范围：-55°C至150°C
BC817DS-25_R1_00001是一款高性能双NPN晶体管，其主要特性包括高电流增益、低噪声和高频率响应。每个晶体管的集电极-发射极电压最大为45V，能够在较宽的电压范围内工作。该器件的集电极电流最大可达100mA，适合低功率应用。晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于工作电流。这种晶体管可以在低电压和高电压条件下保持稳定的工作性能，适用于各种放大和开关电路。
BC817DS-25_R1_00001采用SOT-563封装，体积小巧，便于在紧凑的电路板设计中使用。该封装提供了良好的散热性能，确保晶体管在长时间运行中保持稳定。晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种环境条件，包括工业级温度要求。该器件的功耗为300mW，能够在较低的能耗下提供高效的性能。
该晶体管的两个独立NPN晶体管可以单独使用，也可以并联使用以提高电流承载能力。这使得BC817DS-25_R1_00001在需要多个晶体管的电路设计中非常灵活。晶体管的高频特性使其适用于放大器电路、信号处理电路和高速开关应用。BC817DS-25_R1_00001还具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少热量产生。
BC817DS-25_R1_00001广泛应用于各种电子设备中，包括便携式电子产品、消费类电子设备、工业控制系统和通信设备。由于其双晶体管结构，该器件常用于需要多个晶体管的电路设计，例如逻辑门电路、驱动电路和信号放大电路。此外，BC817DS-25_R1_00001也常用于数字电路中的开关应用，提供高效的电流控制。在音频放大器和信号处理电路中，该晶体管能够提供低噪声和高频率响应，确保信号的稳定性和清晰度。工业自动化系统中常用该晶体管作为传感器信号放大器或执行器驱动器。由于其小尺寸封装，BC817DS-25_R1_00001也非常适合用于空间受限的高密度电路板设计。
BC807DS-25_R1_00001
BC847DS-25_R1_00001
MMBTA06
MMBTA55
