KTB1367 时间：2025/9/12 10:24:20 阅读：11

KTB1367 是一款由韩国电子元件制造商 KEC（Korea Electronics Corporation）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关和电源管理系统。KTB1367 采用 TO-220 封装形式，具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 12mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

KTB1367 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流条件下，该 MOSFET 依然能够保持良好的热稳定性和电气性能。
　　KTB1367 具备较高的最大漏极电流能力（60A），适用于大电流负载切换和电源管理场合。其最大漏源电压为 60V，可广泛应用于电池供电系统、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。
　　此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，使其在不同驱动电路中具有较好的兼容性。KTB1367 的 TO-220 封装具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作状态。
　　从热管理角度看，KTB1367 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，能够在恶劣环境条件下稳定运行。其结构设计优化了热阻，使得在高负载情况下仍能维持较低的结温，提升整体系统的可靠性。
　　在驱动特性方面，KTB1367 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的效率。这对于需要快速切换的电源系统，如同步整流器和负载开关控制，具有重要意义。

应用

KTB1367 广泛应用于各种电源管理与功率控制电路中。由于其高电流能力与低导通电阻特性，它常用于 DC-DC 转换器中的主开关元件，以提升转换效率并减少发热。
　　该器件也适用于电池管理系统，如电动车、储能系统和便携式电子设备中的充放电控制电路。在这些应用中，KTB1367 可以有效控制电池电流流动，确保系统安全运行。
　　此外，KTB1367 可用于电机驱动电路，特别是在直流无刷电机或步进电机控制系统中，作为功率开关元件，实现对电机速度和方向的控制。
　　在工业自动化与控制系统中，该 MOSFET 常用于负载开关、电源分配管理、热插拔保护电路等场合。其高可靠性和热稳定性使其成为工业设备中不可或缺的功率元件。