10KP64A是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和放大应用。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于多种功率电子设备中。
它属于N沟道增强型MOSFET,工作时需要正向栅源电压来开启通道。由于其出色的性能和可靠性,10KP64A在工业控制、电源管理和电机驱动等领域得到了广泛应用。
最大漏源电压:600V
最大漏极电流:10A
最大功耗:115W
栅源开启电压:2V~4V
导通电阻:0.6Ω
总电荷:85nC
10KP64A具有高耐压能力,能够承受高达600伏的漏源电压,适合高压环境下的应用。
其次,它的漏极电流可达10安培,可以满足大电流负载的需求。
此外,低导通电阻降低了功率损耗,提高了效率。
该器件还具备快速开关速度和良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
最后,10KP64A采用了标准的TO-220封装形式,便于安装和散热设计。
10KP64A广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、逆变器以及电机控制器等电力电子设备中。
它可以作为高效开关元件用于斩波电路或脉宽调制(PWM)电路。
此外,在电池充电管理、LED驱动和家用电器中的功率调节模块也能看到它的身影。
由于其高压和大电流处理能力,10KP64A也常被用于工业自动化设备和汽车电子系统中。
IRFZ44N
STP16NF06L
AO3400