10KP64A 时间：2025/6/6 14:51:52 阅读：4

10KP64A是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和放大应用。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于多种功率电子设备中。
　　它属于N沟道增强型MOSFET，工作时需要正向栅源电压来开启通道。由于其出色的性能和可靠性，10KP64A在工业控制、电源管理和电机驱动等领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大漏极电流：10A
　　最大功耗：115W
　　栅源开启电压：2V~4V
　　导通电阻：0.6Ω
　　总电荷：85nC

特性

10KP64A具有高耐压能力，能够承受高达600伏的漏源电压，适合高压环境下的应用。
　　其次，它的漏极电流可达10安培，可以满足大电流负载的需求。
　　此外，低导通电阻降低了功率损耗，提高了效率。
　　该器件还具备快速开关速度和良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
　　最后，10KP64A采用了标准的TO-220封装形式，便于安装和散热设计。

应用

10KP64A广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、逆变器以及电机控制器等电力电子设备中。
　　它可以作为高效开关元件用于斩波电路或脉宽调制（PWM）电路。
　　此外，在电池充电管理、LED驱动和家用电器中的功率调节模块也能看到它的身影。
　　由于其高压和大电流处理能力，10KP64A也常被用于工业自动化设备和汽车电子系统中。