类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：10A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤22mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

KT6387B1/FBP 的主要特性之一是其极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了在高温和高负载条件下的稳定运行，并具有良好的抗热击穿能力。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到20V的输入，适用于多种类型的驱动器和控制器。
　　其TO-220封装形式有助于有效的散热管理，适用于需要较高功率处理能力的电路设计。
　　KT6387B1/FBP 还具有较快的开关速度，适用于高频开关电源和PWM控制电路，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　内部结构设计优化了电场分布，增强了器件的耐压能力和长期可靠性。

KT6387B1/FBP 常用于电源转换系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器和同步整流电路中。
　　在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可作为主开关元件，提供高效和稳定的电流控制。
　　此外，该器件适用于电池管理系统、负载开关、LED驱动电源等应用场景。
　　由于其高可靠性和热稳定性，KT6387B1/FBP 也广泛应用于工业自动化设备、通信电源模块以及汽车电子系统中。
　　在需要高效率和小体积设计的现代电源系统中，该MOSFET能够满足对功率密度和能效的严格要求。

Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6030L, AOD4144