时间：2025/4/28 14:59:39
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6EDL04N02PRXUMA1是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于恩智浦（NXP）半导体公司的产品系列。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。它主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各类工业控制领域，能够满足对效率和可靠性要求较高的应用场景。
这款MOSFET采用TO-252(DPAK)封装形式，具有紧凑的设计，适合空间受限的应用环境。同时，其引脚布局标准化，便于设计与安装。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.7A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ
总功耗(Ptot)：1.3W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +150°C
结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
封装形式：TO-252(DPAK)
6EDL04N02PRXUMA1采用了超低导通电阻技术，有效减少了传导损耗，提高了系统效率。
该器件支持高频开关操作，开关速度快，有助于降低开关损耗并提升整体性能。
其热阻较低，结合高效的散热设计，能够在高温环境下保持稳定运行。
内置静电防护(ESD)保护功能，提升了器件的可靠性和抗干扰能力。
此外，该MOSFET符合RoHS标准，环保且适用于各种现代化电子产品设计需求。
该型号广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池管理系统(BMS)、汽车电子系统、家用电器控制模块等领域。
在工业自动化中，它可作为电机驱动的核心元件，用于精确控制电机的速度和方向。
还适用于太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率调节功能。
由于其卓越的电气特性和机械结构，也常被选用在通信基础设施如基站电源单元内。
6EDL04N02PRXUMA
