时间：2025/8/28 11:59:40
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TPJ2412SA 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率、高频应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够提供较高的电流承载能力和较低的功率损耗。TPJ2412SA 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
TPJ2412SA 的主要优势在于其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽工艺技术，提供了出色的热稳定性和耐久性。
此外，TPJ2412SA 具有较高的电流承载能力和快速的开关速度，适合用于高频率开关应用，如同步整流器、负载开关和电源管理系统。
该MOSFET还具备良好的热保护性能，能够在高温环境下稳定运行，延长设备寿命。
其封装形式为TO-263（D2PAK），适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产并提高焊接可靠性。
TPJ2412SA 也具备良好的抗静电能力和高雪崩能量耐受性，增强了其在复杂电气环境中的可靠性。
TPJ2412SA 广泛应用于各类电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、服务器电源、电信设备电源、电动工具、电动车辆（如电动车、电动滑板车）的功率控制模块等。
由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
在工业自动化控制系统中，TPJ2412SA 也常用于驱动电机、继电器和高功率LED等负载。
此外，该器件还可用于逆变器系统、不间断电源（UPS）及功率因数校正（PFC）电路中。
SiR142DP, FDS4410A, IRF1404, IPB036N04NG
