类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23
　　增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极电压（VCB）：50V
　　发射极-基极电压（VEB）：5V

KST63-MTF具备良好的高频性能，适用于需要较高频率响应的放大电路。其增益范围较宽，根据不同的等级划分（如O档、Y档、GR档、BL档等），hFE值可在110至800之间变化，便于用户根据电路需求选择合适的晶体管。此外，该器件具有良好的热稳定性和低饱和电压，有助于提高电路效率和降低功耗。
　　KST63-MTF采用SOT-23小型封装，体积小、重量轻，适合用于高密度PCB布局。其封装材料符合RoHS环保标准，可广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
　　该晶体管在开关应用中表现出快速响应特性，能够实现高效的数字信号控制。同时，其较高的最大集电极电流和耐压能力，使其在多种低压电子系统中具备较强的适应性。

KST63-MTF广泛应用于各类电子电路中，主要适用于以下领域：
　　1. 高频放大器：用于射频（RF）信号放大和无线通信系统中的前置放大电路。
　　2. 数字开关电路：用于逻辑控制、驱动继电器或LED显示等场景。
　　3. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压电路以及电池充电控制模块。
　　4. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备和无线耳机等便携式设备中的信号处理与控制电路。
　　5. 工业自动化：用于传感器信号调理、电机驱动控制及PLC系统中的逻辑控制单元。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222、PN2222、KST54-MTF