时间：2025/5/7 9:20:45
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CBW321609U181T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片，广泛应用于电源管理、快速充电器和高频DC-DC转换领域。这款芯片采用先进的封装工艺，能够显著提高功率密度并降低系统损耗。
该芯片集成了高效的驱动电路与保护功能，使其在高频率运行时依然保持稳定性能。其主要设计目的是为现代电子设备提供更高效率和更小体积的电源解决方案。
型号：CBW321609U181T
类型：GaN 功率转换芯片
最大输出电流：18A
开关频率范围：100kHz - 6MHz
工作电压范围：4.5V - 20V
封装形式：QFN-16 (3mm x 3mm)
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：30nC
结温范围：-40°C 至 +150°C
待机功耗：<10μA
CBW321609U181T 芯片采用了最新一代增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷，从而减少了开关损耗，并支持高达6MHz的工作频率。这使得它非常适合用于高频应用场合，例如小型化适配器和快充头。
此外，该芯片内置了全面的保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、短路保护（SCP）以及欠压锁定（UVLO）。这些保护功能确保了在异常条件下芯片的安全性和可靠性。
为了便于设计，CBW321609U181T 还提供了简单的驱动接口，可以直接与标准PWM控制器配合使用，简化了外围电路设计过程。
它的紧凑型QFN-16封装进一步减小了整体解决方案的尺寸，同时优化了热性能，非常适合对空间要求严格的便携式电子产品。
CBW321609U181T 主要适用于以下场景：
1. USB-PD 快速充电器
2. 高频 DC-DC 转换器
3. 笔记本电脑和手机适配器
4. LED 驱动器
5. 消费类电子产品的高效电源模块
6. 小型化工业电源
由于其出色的效率和高频能力，CBW321609U181T 成为追求高性能、小体积电源设计的理想选择。
CBW321609U151T
CBD321609U181T
GAN063-650WSA
