时间：2025/9/14 19:43:37
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PMT200EPE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高效率功率转换系统中。PMT200EPE采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流和高频率下稳定工作。该器件采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω @ VGS = 10V
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω @ VGS = 4.5V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
PMT200EPE具有多项优异的电气和热性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，Rds(on)仅为0.13Ω，而在4.5V驱动电压下也保持较低的0.17Ω，使其兼容多种驱动电路，包括常见的3.3V和5V控制系统。
其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，漏极连续最大电流可达20A，适用于中高功率应用。同时其漏源击穿电压高达200V，能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、电机控制等需要高压操作的场合。
此外，PMT200EPE采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持稳定的工作温度。该封装也便于安装在散热片上，提升整体热管理能力。
器件的栅极氧化层具有较强的耐压能力，最大栅源电压为±20V，增强了其在复杂工作环境下的可靠性和抗干扰能力。PMT200EPE的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应工业级和汽车级应用需求。
PMT200EPE适用于多种功率电子系统，广泛用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，可提高转换效率并降低功耗。在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器或主功率开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。
在电机驱动领域，PMT200EPE可用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的运行，适用于工业自动化设备和电动工具。其高电流和高压特性也使其适合用于电源负载开关、电池管理系统和UPS不间断电源。
此外，该MOSFET在汽车电子系统中也有广泛应用，如车灯控制、电动座椅调节、车载充电器等场景，满足汽车级工作温度和可靠性要求。
STP20NK20Z, IRFZ44N, FDP20N20, FQP20N20
