GCQ1555C1H9R1WB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统设计。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)工艺技术制造,具有高效率、宽带宽和高输出功率等特性,适用于蜂窝基站、微波链路以及雷达等应用领域。
该器件内置了匹配网络和偏置电路,可简化外部设计并提高系统的稳定性。同时,其封装形式紧凑,便于集成到现代通信设备中。
型号:GCQ1555C1H9R1WB01D
工作频率范围:3.4 GHz 至 3.6 GHz
输出功率:40 W (典型值)
增益:12 dB (典型值)
效率:65% (典型值)
电源电压:28 V
静态电流:2 A
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GCQ1555C1H9R1WB01D 的主要特性包括:
1. 高输出功率:在 3.4 GHz 至 3.6 GHz 的频率范围内能够提供高达 40 W 的输出功率。
2. 高效率:基于 GaN 技术,效率可达 65%,显著降低散热需求。
3. 宽带操作:支持较宽的工作频率范围,适应多种无线通信场景。
4. 内置匹配网络:减少外部元件数量,简化系统设计。
5. 稳定性高:内置保护电路以防止过压和过流损坏。
6. 小型化封装:适合空间受限的应用环境。
7. 工作温度范围广:能够在极端环境下可靠运行,满足工业级要求。
GCQ1555C1H9R1WB01D 广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站:用于 4G/5G 基站中的射频信号放大。
2. 微波链路:提升点对点或点对多点通信系统的传输距离和可靠性。
3. 雷达系统:适用于气象雷达、航空雷达以及其他需要高功率射频放大的场合。
4. 专用无线通信设备:如军用无线电和卫星通信终端。
5. 测试与测量仪器:作为信号源的一部分,用于验证其他电子设备的性能。
GCQ1555C1H9R2WB01D, GCQ1555C1H9R3WB01D