KSK161GBU是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用N沟道增强型技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
该芯片以TO-252封装形式呈现,具有良好的散热性能和较高的耐用性。它适用于中小功率应用场合,能够满足各种严格的工业标准。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值):8mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:开启延迟时间45ns,上升时间15ns,关闭延迟时间23ns,下降时间12ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
KSK161GBU的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用中表现出色,并能显著减少功率损耗。此外,该器件还具有非常低的栅极电荷和输出电容,从而实现了更快的开关速度,进一步提高了效率。
该MOSFET还拥有出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。同时,由于采用了先进的制造工艺,其整体可靠性得到了保障,非常适合需要长时间稳定工作的工业和汽车应用环境。
KSK161GBU广泛应用于多种电力电子设备中,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电动工具及家用电器中的类DC-DC转换器
4. 电池管理系统(BMS)
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子系统中的负载切换
其高效能与紧凑设计使得它成为许多现代电子产品中的关键组件。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP15U20AEN
IXTK16N06P2