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KSK161GBU 发布时间 时间:2025/7/16 13:03:00 查看 阅读:8

KSK161GBU是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用N沟道增强型技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
  该芯片以TO-252封装形式呈现,具有良好的散热性能和较高的耐用性。它适用于中小功率应用场合,能够满足各种严格的工业标准。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):8mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关时间:开启延迟时间45ns,上升时间15ns,关闭延迟时间23ns,下降时间12ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

KSK161GBU的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用中表现出色,并能显著减少功率损耗。此外,该器件还具有非常低的栅极电荷和输出电容,从而实现了更快的开关速度,进一步提高了效率。
  该MOSFET还拥有出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。同时,由于采用了先进的制造工艺,其整体可靠性得到了保障,非常适合需要长时间稳定工作的工业和汽车应用环境。

应用

KSK161GBU广泛应用于多种电力电子设备中,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动工具及家用电器中的类DC-DC转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 太阳能逆变器
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  其高效能与紧凑设计使得它成为许多现代电子产品中的关键组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP15U20AEN
  IXTK16N06P2