时间：2025/7/16 13:03:00
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KSK161GBU是一款高性能的功率MOSFET晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用N沟道增强型技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
该芯片以TO-252封装形式呈现，具有良好的散热性能和较高的耐用性。它适用于中小功率应用场合，能够满足各种严格的工业标准。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：开启延迟时间45ns，上升时间15ns，关闭延迟时间23ns，下降时间12ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
KSK161GBU的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中表现出色，并能显著减少功率损耗。此外，该器件还具有非常低的栅极电荷和输出电容，从而实现了更快的开关速度，进一步提高了效率。
该MOSFET还拥有出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。同时，由于采用了先进的制造工艺，其整体可靠性得到了保障，非常适合需要长时间稳定工作的工业和汽车应用环境。
KSK161GBU广泛应用于多种电力电子设备中，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电动工具及家用电器中的类DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子系统中的负载切换
其高效能与紧凑设计使得它成为许多现代电子产品中的关键组件。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP15U20AEN
IXTK16N06P2
