时间：2025/5/7 9:39:57
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NVMFS5C410NLAFT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高效能 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种功率转换和负载开关应用。
其封装形式为 LFPAK56D（也称为 D2PAK-7），具备卓越的散热特性和紧凑尺寸，非常适合对空间敏感的设计。NVMFS5C410NLAFT1G 通常被用于 DC-DC 转换器、电池管理、电机驱动和其他需要高性能功率开关的场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：85A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：56nC
总电容：1950pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NVMFS5C410NLAFT1G 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流条件下实现更低的功耗和更高的效率。
2. 高额定电流能力使其能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关速度优化了动态性能，并降低了开关损耗。
4. 耐热增强型 LFPAK56D 封装提升了散热表现并简化了 PCB 布局设计。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
6. 工作温度范围宽广，适合恶劣环境下的稳定运行。
该芯片适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. 电动车辆（EV/HEV）内的电池管理系统与电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 高效 DC-DC 转换器模块。
5. 通信基础设施中的功率分配网络。
6. 大功率 LED 驱动及其它类似应用。
NVMFS5C408NLAT1G, IRF7778TRPBF, FDP15N10AE
