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NVMFS5C410NLAFT1G 发布时间 时间:2025/5/7 9:39:57 查看 阅读:20

NVMFS5C410NLAFT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高效能 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种功率转换和负载开关应用。
  其封装形式为 LFPAK56D(也称为 D2PAK-7),具备卓越的散热特性和紧凑尺寸,非常适合对空间敏感的设计。NVMFS5C410NLAFT1G 通常被用于 DC-DC 转换器、电池管理、电机驱动和其他需要高性能功率开关的场合。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:85A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:56nC
  总电容:1950pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

NVMFS5C410NLAFT1G 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流条件下实现更低的功耗和更高的效率。
  2. 高额定电流能力使其能够适应大功率应用场景。
  3. 快速开关速度优化了动态性能,并降低了开关损耗。
  4. 耐热增强型 LFPAK56D 封装提升了散热表现并简化了 PCB 布局设计。
  5. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
  6. 工作温度范围宽广,适合恶劣环境下的稳定运行。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
  2. 电动车辆(EV/HEV)内的电池管理系统与电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 高效 DC-DC 转换器模块。
  5. 通信基础设施中的功率分配网络。
  6. 大功率 LED 驱动及其它类似应用。

替代型号

NVMFS5C408NLAT1G, IRF7778TRPBF, FDP15N10AE

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NVMFS5C410NLAFT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥32.67000剪切带(CT)1,500 : ¥17.25759卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Ta),330A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.82 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)143 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8862 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),167W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线