时间：2025/7/4 0:02:37
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IPD038N04NG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于多种电源管理应用。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高效率并降低功耗。
它广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。其小型封装设计使其非常适合空间受限的应用场合。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：22nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：SOT-23
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 高温性能优异，能够在极端条件下稳定工作。
4. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，同时简化了布局设计。
5. 提供出色的 ESD 保护能力以增强可靠性。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. USB 充电器和适配器中的同步整流电路。
3. 消费类电子产品的电池保护电路。
4. 小功率 DC-DC 转换器的核心开关元件。
5. 便携式设备中的电机驱动控制。
IPB038N04N
IPA038N04NL
